英特尔联合3DGS豪掷223亿建厂 玻璃基板或开启万亿级市场

《徽声在线科技频道》5月31日报道 在人工智能技术高速发展的背景下，玻璃基板作为先进封装的核心材料，其量产进程正加速推进。

最新消息显示，全球芯片巨头英特尔联合美国半导体技术企业3D Glass Solutions（3DGS），计划在印度奥里萨邦投资33亿美元（约合人民币223亿元）建设半导体基板制造基地。该项目已获得印度政府数十亿美元补贴承诺，预计将创造超过1800个高技能就业岗位。

英特尔深化玻璃基板战略布局（项目效果图）

根据规划，这座位于布巴内斯瓦尔-库尔达地区的工厂将在5-6年内建成，重点生产三大类产品：1）用于2.5D/3D封装的玻璃基板；2）高密度互连（HDI）基板；3）配套的半导体封装解决方案。值得关注的是，3DGS作为技术合作伙伴，其自主研发的玻璃基板3D封装（3DHI）技术已实现产业化突破。

公开资料显示，3DGS自2014年切入先进封装领域以来，已构建起完整的技术体系。今年4月，由英特尔参股支持的3DGS封装工厂已在奥里萨邦首府布巴内斯瓦尔动工，该项目达产后将形成年产5000万台玻璃基板3D封装单元的生产能力，主要供应数据中心、AI算力芯片等高端市场。

英特尔的全球产能布局呈现多点开花态势。

据《徽声在线科技频道》此前报道，英特尔正对其新墨西哥州里奥兰乔工厂进行升级改造，该基地将成为全球首个玻璃基板量产基地。目前亚利桑那州钱德勒园区已建成试验生产线，而里奥兰乔工厂凭借预留的3万平方米扩建空间，将部署完整的EMIB封装技术量产线。业内人士透露，该生产线将采用独特的双层玻璃基板设计，可使芯片间互连密度提升3倍以上。

供应链消息显示，英特尔已启动全球采购计划，累计签订价值数万亿韩元的设备采购合同，重点投向EMIB产能扩张和技术迭代。其中玻璃基板封装方案将与Foveros 3D封装技术形成协同效应，预计可使芯片封装体积缩小40%，信号传输速度提升25%。

全球半导体产业正掀起玻璃基板投资热潮。

中泰证券最新研报指出，台积电CoPoS试验线将于2024年Q3启动建设，2028年底实现量产，英伟达Blackwell架构GPU或成为首批采用客户；三星电机则计划在2027年量产玻璃基板，2028年市场份额有望突破15%。多家机构预测，2026年将成为玻璃基板商业化元年，届时全球市场规模将突破5亿美元。

东方证券分析认为，玻璃基板的应用场景正在持续拓展。除先进封装领域外，其在存储介质领域也展现出巨大潜力。随着HAMR（热辅助磁记录）技术渗透率提升，固态硬盘存储密度将突破30TB/盘片。由于HAMR技术需要承受800℃高温，传统铝基磁盘难以满足要求，而玻璃基板凭借优异的热稳定性和表面平整度，有望成为新一代存储介质的核心材料。

国际半导体产业协会（SEMI）最新预测显示，受AI和高性能计算（HPC）需求驱动，玻璃基板将于2028年进入早期生产阶段，初期主要应用于HPC芯片封装。随着技术成熟度提升，2030年后将逐步扩展至汽车电子、消费电子等领域。该机构预测，2028-2040年玻璃基板市场将以67.2%的复合增长率扩张，到2040年市场规模有望突破200亿美元。