SK海力士HBM4产能扩张，第四季度出货量营收将超HBM3E

在10月28日这一天，SK海力士对外宣布了一项重要战略调整。公司决定加速推进第六代10纳米级（1c）工艺的应用进程，通过提升该工艺的占比，来进一步优化其DRAM产品线。同时，SK海力士还计划加大DDR5内存以及专为AI服务器设计的LPDDR5 SOCAMM的销售力度，旨在构建一个以高附加值产品为主导的DRAM产品组合，以满足市场对高性能存储解决方案的迫切需求。

面对HBM（高带宽内存）市场需求的迅猛增长，SK海力士积极应对，制定了详细的产能扩张计划。公司计划在年底前将M15X工厂的产能提升至极限，以确保HBM4的大规模生产能够顺利进行。基于这一产能提升计划，SK海力士充满信心地预计，在第四季度，HBM4的出货量和营业收入都将超越其前代产品HBM3E，从而稳固其作为主力产品的市场地位。

在NAND闪存领域，SK海力士同样有着长远的布局。公司计划在第四季度将321层工艺的占比提升至韩国本土产能的一半以上，以此增加高性能、大容量eSSD（企业级固态硬盘）的供应量，满足数据中心等大规模存储应用的需求。从更长远的视角来看，SK海力士计划依托高带宽闪存技术和系统优化技术，将NAND闪存打造成为提升AI服务器吞吐量和经济性的关键解决方案，为AI技术的快速发展提供有力支撑。