英伟达Rubin Ultra芯片内存方案调整:8层HBM或成新选择

2026-09-11 22:05:58未知 作者:徽声在线

【英伟达Rubin Ultra芯片或调整HBM堆叠层数至8层】《科创板日报》最新报道,10日从产业链获悉,英伟达正在评估其下一代Rubin Ultra AI加速器的内存架构优化方案,拟将原计划的12层高带宽内存(HBM)堆叠设计改为8层配置。这一调整主要基于当前存储芯片市场价格持续攀升的背景,通过减少堆叠层数来平衡性能与成本,同时优化整机系统的经济性指标。据台湾电子时报分析,此举可能引发HBM供应链的连锁反应,三星、SK海力士等主要供应商或需重新调整产能规划。(来源:台湾电子时报)

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