美光计划大幅扩张HBM产能，HBM4占比或大幅提升至五成

徽声在线9月4日讯（编辑 李莹）近日有消息传出，美光正积极规划产能扩张，计划到2026年底将HBM（高带宽内存）的月产能提升至10万片晶圆，这一数字相较于2025年每月约4万至5万片的产能水平，实现了接近翻倍的增长。此举不仅有望缓解当前全球HBM供应紧张的局面，还将助力美光进一步缩小与两大韩系存储巨头在规模上的差距。

据当地时间周五媒体援引业内人士的消息，美光此次产能扩张计划明确且坚定。除了大幅提升整体月产能外，美光还将着重提高面向英伟达Vera Rubin平台的12层HBM4产品的产出量。这一策略调整，显示出美光对高端HBM市场的重视以及紧跟行业技术发展趋势的决心。

业内专家分析认为，如果美光能够顺利达成这一产能目标，那么它与韩国同行的规模差距将会显著缩小。不过，尽管如此，两家韩国企业在制造体量上仍然占据着大幅领先的优势，美光要想真正迎头赶上，还需在技术研发、生产效率等多方面持续发力。

为了实现这一宏伟的产能扩张计划，美光已经采取了一系列实际行动。报道称，美光已向HBM设备供应商追加了采购订单，新采购的设备正在其中国台湾和新加坡的生产基地紧锣密鼓地安装调试中。这些新设备的投入使用，将为美光产能的提升提供有力的硬件支持。

HBM4占比将大幅提升

在HBM产品的结构方面，美光也在进行着积极的调整。目前，美光的HBM产出仍以12层HBM3E为主，但据相关报道，12层HBM4的占比预计将从2026年初的约20% - 30%，大幅提升至年底的最高50%。这一变化反映出美光对HBM4产品市场前景的看好，以及其在技术升级和产品迭代方面的快速响应能力。

根据美光今年3月17日发布的官方新闻稿，专为英伟达Vera Rubin GPU设计的HBM4 36GB 12层产品已于2026年第一季度正式开始量产出货。这款产品在能效方面表现出色，较上一代HBM3E提升了逾20%。与此同时，美光还已向客户送样了48GB 16层HBM4，为未来产品的进一步升级和市场拓展做好了铺垫。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra在今年6月表示，HBM4的产能爬坡速度约为12层HBM3E的两倍，这是一个非常惊人的增长速度。而且，截至目前，美光累计HBM4出货收入已经突破了10亿美元，这充分证明了HBM4产品在市场上的受欢迎程度以及美光在该领域的强大竞争力。

然而，报道也指出，由于这批HBM4产品几乎高度绑定英伟达的下一代AI加速器平台，因此新增产能能否被充分消化，在很大程度上取决于英伟达的出货节奏。如果英伟达的出货速度能够与美光的产能提升相匹配，那么双方的合作将实现互利共赢；反之，则可能会给美光带来一定的产能过剩风险。

努力缩小产能差距

从制造规模的角度来看，美光目前仍然是三大HBM供应商中规模最小的一家。在存储芯片市场竞争日益激烈的今天，规模优势往往意味着更低的成本、更高的效率和更强的市场话语权。

媒体援引行业估算数据显示，三星电子与SK海力士当前的HBM月产能均在15万至20万片之间，而美光的目标是到2026年底达到10万片。虽然与两家韩企相比仍有一定差距，但若美光的目标能够如期落地，其与两家韩企的产能差距有望收窄至此前的约一半，这无疑将为美光在HBM市场的竞争中赢得更多的机会。

不过，市场份额格局往往比产能数据更为复杂和均衡。据市场研究机构Counterpoint Research估算，到2026年第二季度，全球HBM市场份额预计为SK海力士占50%、三星电子占32%、美光占18%。这一数据表明，尽管美光在产能上与两家韩企存在差距，但在市场份额方面仍然有着一定的竞争力，未来仍有较大的提升空间。

美光的此次扩产计划，也从侧面印证了当前HBM供应持续紧张的现状。随着AI技术的快速发展，AI加速器厂商对堆叠存储的需求量不断攀升，可用产能已经成为制约供应商出货与变现能力的核心因素。美光通过扩大产能、优化产品结构等举措，有望在HBM市场中占据更有利的地位，为公司的长期发展奠定坚实的基础。

（徽声在线 李莹）