美光加速HBM产能扩张：2026年月产能目标10万片，HBM4占比冲刺五成

徽声在线9月4日讯（记者 王晓）据最新行业动态披露，存储芯片巨头美光科技正加速推进其HBM（高带宽内存）产能扩张计划，目标是在2026年底前将月产能提升至10万片晶圆，较当前水平实现接近翻倍增长。这一战略举措不仅有望缓解全球HBM市场持续紧张的供应局面，更将助力美光进一步缩小与三星、SK海力士两大韩国竞争对手的产能差距。

根据产业链消息人士透露，美光计划到2026年底将HBM月产能从2025年的4万至5万片提升至约10万片，同时重点提升面向英伟达Vera Rubin平台的12层HBM4产品产出比例。这一产能扩张计划涉及中国台湾和新加坡两大生产基地的设备升级与扩产。

行业分析师指出，若美光能够如期达成产能目标，其与韩国同行的规模差距将显著收窄，但三星和SK海力士在制造体量上仍将保持领先优势。目前这两家韩企的HBM月产能均维持在15万至20万片之间。

为支撑产能扩张，美光已向设备供应商追加采购订单，新引进的生产设备正在其亚洲两大生产基地进行安装调试。据供应链人士透露，此次扩产涉及多条先进制程生产线，重点提升12层堆叠产品的良率。

HBM4产品占比将大幅提升

当前美光的HBM产品线仍以12层HBM3E为主，但公司计划将12层HBM4的产出占比从2026年初的20%-30%提升至年底的50%。这一产品结构调整反映了AI计算领域对更高带宽存储解决方案的迫切需求。

根据美光官方发布的技术路线图，专为英伟达Vera Rubin GPU设计的HBM4 36GB 12层产品已于2026年第一季度实现量产出货，其能效比上一代HBM3E提升超过20%。同时，公司已向重点客户送样48GB 16层HBM4样品，为下一代AI加速器提供存储解决方案。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra在6月的财报会议上透露，HBM4的产能爬坡速度是12层HBM3E的两倍，目前累计HBM4产品出货收入已突破10亿美元大关。这一数据印证了高端HBM产品在AI市场的强劲需求。

值得注意的是，由于美光这批HBM4产品与英伟达下一代AI加速器平台高度绑定，其新增产能的实际消化情况将很大程度上取决于英伟达的出货节奏。市场研究机构认为，这种深度绑定策略既带来订单保障，也蕴含一定的市场风险。

产能格局重塑进行时

尽管在制造规模上仍落后于韩国竞争对手，但美光通过差异化产品策略正在缩小市场份额差距。目前全球HBM市场呈现三足鼎立态势，美光是三大供应商中规模最小的一家。

行业数据显示，三星电子与SK海力士当前的HBM月产能均保持在15万至20万片区间。若美光如期达成10万片月产能目标，其与韩企的产能差距将从目前的约60%收窄至30%左右。

在市场份额方面，格局相对更为均衡。据市场研究机构Counterpoint Research最新估算，2026年第二季度全球HBM市场中，SK海力士以50%的份额领跑，三星电子占32%，美光则占据18%的市场份额。

美光此次大规模扩产，从侧面印证了当前HBM市场持续供不应求的现状。随着AI加速器对堆叠式存储芯片的需求呈现指数级增长，可用产能已成为制约供应商出货能力和盈利水平的关键因素。行业专家预计，这种供应紧张局面或将持续至2027年。

（徽声在线 王晓）