SK海力士携手英特尔探索HBM4E基底芯片代工新路径

在8月31日的最新行业动态中，有消息指出SK海力士正在积极探讨与英特尔携手，共同打造下一代高带宽内存（HBM）的核心组件——基底芯片。这一合作计划有望最早在第七代HBM产品HBM4E上付诸实践，从而构建起与台积电并存的多供应商生产体系。回顾过往，SK海力士在HBM3E之前的所有基底芯片均由自家生产，然而随着技术要求的不断提升，基底芯片的逻辑复杂度和性能标准也水涨船高。因此，自HBM4时代起，SK海力士便决定将这一关键部件的生产转交给台积电，目前量产中的HBM4基底芯片正是采用了台积电的12纳米级先进工艺。

据业内知情人士透露，台积电所供应的HBM4基底芯片，其成本相较于SK海力士利用自身10纳米级第五代1b工艺生产的核心芯片，要高出3至4倍。随着HBM4E技术的不断升级，成本压力预计将进一步加剧。而由于HBM产品普遍采用长期供应协议，厂商在面对代工成本上涨时，往往难以迅速将其转嫁给客户。在此背景下，若英特尔能够成功加入供应链，SK海力士不仅有望降低生产成本，还能提升供应的稳定性，同时减少对单一供应商的过度依赖。此外，双方的合作未来还有可能拓展至先进封装技术领域，目前SK海力士正在对台积电的CoWoS-S、CoWoS-L以及英特尔的EMIB等多种封装方案进行全面评估。