IBM全球首发亚纳米芯片技术，引领半导体新纪元

6月25日，科技巨头IBM在半导体技术领域再次掀起波澜，正式对外公布了其全球首发的“亚纳米”（sub-1nm）芯片制造工艺。这一突破性技术，采用了前所未有的“三维垂直堆叠”（NanoStack）晶体管设计，一举将芯片制造工艺推进到了0.7纳米（即7埃米，Angstrom）的极致节点。

借助这种创新的3D架构，IBM成功地在一块指甲盖大小的芯片上，集成了高达近1000亿个晶体管，这一数字相较于其2021年推出的2纳米芯片，晶体管密度实现了翻倍增长。据权威测试数据显示，与2纳米芯片相比，这款亚纳米芯片技术预计将带来最高可达50%的性能飞跃，或者实现能耗降低高达70%的惊人效果。同时，它还能使SRAM（静态随机存取存储器）的面积缩减40%，为当前迫切需要高带宽、低能耗的AI算力芯片市场，注入了前所未有的强劲动力。