SK海力士375层3D NAND即将量产，钼材料助力突破超高层堆叠瓶颈

6月11日最新消息，全球知名存储芯片制造商SK海力士宣布，其研发的375层3D NAND闪存技术已顺利完成量产前的关键验证环节。目前，该公司正紧锣密鼓地将这项突破性技术转移至清州M15工厂的现有生产线，预计将在今年内正式启动大规模量产。在工艺创新方面，SK海力士在375层3D NAND产品中采用了全新的材料方案，即以金属钼（Mo）部分替代传统的钨（W）作为字线金属栅极的核心材料。这一变革性的选择源于钼在细微字线结构中展现出的显著优势——其电阻值低于钨，从而能够大幅提升信号的传输速度，并优化读写擦除的整体性能。更为关键的是，钼材料的应用还简化了生产工艺流程，因为它无需在沉积前额外铺设一层阻挡衬层，这一改进为实现更高密度的存储结构奠定了坚实基础。