SK海力士发布iHBM冷却新技术，热阻降低超30%引领散热革新

据徽声在线5月26日报道，随着人工智能（AI）技术的迅猛发展，芯片散热技术正迎来新一轮的革新浪潮。

近日，存储巨头SK海力士正式发布了其创新的iHBM冷却解决方案。该方案通过在HBM（高带宽内存）封装内部集成一体化冷却元件“ICE”，旨在有效降低芯片运行时的热量积聚。SK海力士计划将这一先进技术应用于HBM5等未来一代产品中，以满足高性能计算、AI数据中心等对散热要求极为苛刻的应用场景。

与传统HBM依赖热量通过核心芯片（Core Die）向外传导的散热方式不同，iHBM技术直接在热量最为集中的D2D PHY（Die-to-Die Physical Layer，即HBM基础芯片与AI高速芯片间超高速数据传输的物理互联层）区域嵌入热控元件ICE。ICE采用绝缘且高导热性的硅基材料，能够在HBM封装内部构建出专门的热量排出通道，从而显著提升散热效率。

SK海力士发布iHBM冷却方案 图源：SK海力士

据测试，相较于传统散热方案，iHBM技术能够将热阻降低30%以上，确保芯片在高温、高负载环境下依然能够稳定运行。

在量产方面，iHBM将采用WLP（晶圆级封装）工艺，实现稳定且大规模的量产。此外，SK海力士还强调，该技术与客户现有的SiP（系统级封装）环境高度兼容，客户无需对现有设计进行大规模改动即可直接部署，从而大大降低了技术导入的门槛和成本。

值得一提的是，iHBM并非市场上首个尝试将散热能力集成到芯片内部的技术。

例如，三星的Exynos 2600芯片就采用了HPB冷却技术，该技术能够与DRAM一起直接封装在芯片上，并逐步优化整体热结构。而微软团队则开发了“微流体冷却技术”，通过细如发丝的微小通道将冷却液直接输送到芯片内部，实现高效散热。

与此同时，芯片散热技术正从单一的风冷、液冷等外部冷却方案，向封装内部材料优化、结构设计与外部冷却协同的方向发展。

据银河证券分析，Vera Rubin架构GPU将全面采用“钻石铜复合散热+45℃温水直液冷”的全新散热方案。华源证券则指出，将金刚石作为基板集成使用，不仅散热效果出色，还能通过重新分配整体热阻及流经基板的温度降差，实现芯片层面的两相冷却，使散热性能提升10至100倍。

从存储技术的发展趋势来看，三星电子正在研发下一代HBM封装技术“多层堆叠FOWLP”，该技术结合了超高纵横比铜柱和扇出型晶圆级封装（FOWLP），旨在提升带宽并改善设备发热量。而SK海力士则已完成采用混合键合技术的12层HBM堆叠结构的验证工作，目前正致力于提高良率，以便尽快实现量产。

在投资方面，海通国际证券认为，HBM将是下一阶段存储板块的核心弹性方向。随着2027年全球AI服务器出货量的持续增长、HBM3e/HBM4技术的迭代渗透提速，以及先进封装与良率瓶颈对供给释放的持续约束，HBM产品后续涨价预期强烈。