中国突破键合DRAM技术挑战美韩垄断，韩媒忧心忡忡

然而，从今年起，韩国媒体的态度悄然转变，透露出明显的不安与焦虑。这背后的原因，正是长鑫存储在缺乏EUV光刻机这一关键设备的情况下，成功开辟出一条全新的技术路径，并已着手建设生产线进行量产。

韩国业界究竟在担忧什么？让我们从头梳理这一事件的来龙去脉。

被技术封锁的中国内存产业，另辟蹊径求发展

首先，我们需要了解这个行业的背景。无论是电脑中常用的DDR内存，还是AI芯片不可或缺的HBM内存，其颗粒制程都已迈入10纳米级别，且仍在不断向更精细的尺度迈进。

在这一尺度下，传统的DUV光刻机已难以满足需求，唯有EUV光刻机方能胜任更精细电路的制造。

据公开资料显示，三星到2025年初已采购了至少50台EUV光刻机，SK海力士也紧随其后，采购了20多台。反观长鑫存储，却因美国对中国的半导体设备出口管制，至今未能购得一台EUV光刻机。

按照传统工艺，仅凭DUV光刻机，制程在15纳米节点便已接近极限。再往下，DUV的光学分辨率将无法满足要求，这是由物理定律所决定的。但长鑫存储并未坐以待毙，他们祭出了两套应对策略。

第一套策略是多重曝光技术，这并非新鲜事物，即利用DUV光刻机通过多块掩膜版反复雕刻，以获得更细的线条。

长鑫存储通过这一技术，成功将制程节点向前推进了一步。但说到底，多重曝光技术只能算是权宜之计，它能让你暂时喘口气，却无法让你实现根本性的突破。

真正让韩国企业感到压力山大的，是长鑫存储推出的第二套策略——键合DRAM工艺，这一技术彻底改变了游戏规则。

键合DRAM究竟带来了哪些变革？

在传统的DRAM芯片中，存储数据的存储阵列与负责读、写、刷新等控制的外围电路是平铺在同一块晶圆上的，这就像一间平房，卧室与客厅紧挨在一起。

这种布局存在三大问题：其一，存储阵列需要精细的光刻工艺，最好使用EUV光刻机进行雕刻，但外围电路却无需如此精细，被EUV光刻机一并照射，无疑是大材小用，成本高昂且无实际意义。其二，制造存储阵列时需经过高温工艺，温度可高达800摄氏度以上，而外围电路中的晶体管却怕热，高温会将其烧毁，工程师只能在此之间做出妥协，导致工艺窗口非常狭窄。其三，外围电路占据了晶圆面积，使得真正用于存储数据的区域被压缩，晶圆的整体利用率降低。

长鑫存储的键合DRAM工艺，彻底解决了这一问题。他们将存储阵列与外围电路分开，分别放置在两块独立的晶圆上进行加工。

在存储阵列方面，长鑫存储采用多重曝光技术硬推高密度；而在外围电路方面，则采用成熟且成本低廉的工艺。随后，通过混合键合技术，将两块晶圆垂直叠放在一起。

混合键合技术是这一工艺的关键所在。两块晶圆的表面需研磨至原子级别的平整度，偏差不得超过0.5纳米。随后，在真空环境中直接压合，依靠原子间的范德华力融合成一体。

如此一来，上层晶圆百分之百的面积均可用于存储数据，存储密度与容量直接翻倍增长。同时，由于两片晶圆之间没有传统的凸点与焊料，信号传输延迟与功耗均大幅降低。

有人或许会问，这种堆叠方式与HBM有何不同？HBM不也是将多层芯片堆叠在一起吗？其实，两者有着本质的区别。

传统的HBM堆叠方式，是在每层芯片之间通过微凸点进行连接，这就像两层楼之间修建了电梯井，数据从一层传输到另一层需经过电梯，路程长、时间久且易发热。

而混合键合技术则相当于将两栋楼直接拼接成一栋，墙体之间无缝衔接，信号可直接穿透，效率显著提升。

韩国企业精打细算，却陷入犹豫不决的境地

那么，问题来了。既然键合DRAM工艺如此优越，为何三星与SK海力士不自行研发呢？据公开报道，他们其实也在研究相关技术，但推进速度却远不及长鑫存储。原因主要有三点。

其一，混合键合技术对环境与设备的要求极高。稍有不慎，如有灰尘颗粒或研磨不均，整张晶圆便会报废。若良率控制不佳，成本将高得惊人。

对于韩国企业而言，在原有技术路径上进行渐进式改进，仍能保持稳定的盈利。因此，他们缺乏动力去冒险尝试一条高风险的新路。

其三，他们过去几年的主要精力都集中在争夺HBM市场的高端订单上，如英伟达的订单。这使得他们的研发资源更倾向于对现有技术路线的优化。

长鑫存储的情况则截然不同。他们深知，若死等EUV光刻机，可能只有死路一条。因此，他们必须坚定地走键合DRAM这条路。

事实上，这一选择与中国过去几年在半导体领域的整体战略是一脉相承的。由于无法获取EUV光刻机，中国便在多重曝光与先进封装技术上加倍投入。

长江存储便是一个先行者。他们的Xtaing架构通过混合键合技术实现了三维堆叠，甚至在某些性能指标上超越了三星。

这些实践为长鑫存储积累了宝贵的设备、工艺与供应链经验。国产的键合设备、抛光设备、清洗设备正是在这些尝试中逐渐打磨成熟，构建起了完整的国产封装供应链。

在韩国经济日报的报道结尾，韩国人自己道出了一句实话。他们表示，韩国今天能够主导全球存储产业，很大程度上得益于美国对中国的半导体制裁。

然而，这层政治屏障究竟能维持多久？他们心中也无底。因为一旦长鑫存储的键合DRAM产线实现大规模量产，韩国在内存领域苦心经营多年的护城河，便可能被人从下游挖开一个缺口。

到那时，美国当初的制裁反而可能催生出一个更难对付的对手，这恐怕是制裁者始料未及的。