长鑫存储计划2027年量产12层HBM3E，技术差距有望大幅缩小

【徽声在线科技报道】5月28日，半导体行业传来新动态，国内DRAM领域的领军企业长鑫存储正成为推动高带宽内存（HBM）商用化的核心力量，相关产业能力的提升工作正在紧锣密鼓地进行中。

聚焦SK海力士无锡生产基地

在HBM研发领域，长鑫存储已取得显著进展。目前，该公司已成功推出HBM3样件，并开始向华为等国内领先的AI芯片厂商供货。当前，这些样件正处于量产前的关键验证阶段。长鑫存储还制定了雄心勃勃的计划，预计在明年实现12层HBM3E的量产。一旦这一计划顺利实施，长鑫存储与三星电子、SK海力士、美光等全球存储巨头的技术差距将大幅缩短至2至3年。此外，国内NAND领域的佼佼者长江存储也有望加入下一代HBM的研发行列。国内正计划整合长鑫存储的DRAM制造专长与长江存储的先进3D封装技术，共同推进更高层数的HBM研发。目前，双方已就20层级HBM所需的混合键合技术展开了深入合作。

三星HBM4技术展望

据徽声在线科技了解，市场调研机构Counterpoint的最新数据显示，到2026年第一季度，全球DRAM市场中，三星电子、SK海力士、美光将分别以38%、22%、22%的市场份额稳居前三。而长鑫存储的DRAM收入同比增长超过700%，以8%的市场份额位列第四，较上年同期的3%实现了显著增长，增幅超过两倍。

行业专家分析指出，尽管国内在HBM研发方面取得了较快进展，但HBM的核心竞争力涉及多个复杂维度，包括硅通孔技术、堆叠封装技术、发热控制技术、量产良率稳定性以及客户认证经验等。目前，国内厂商与全球三大头部存储厂商在这些方面仍存在较大差距。然而，依托国内政策的强有力支持以及本土AI产业的庞大内需优势，满足可用标准的HBM产品有望在国内AI生态中迅速普及。这对于韩国存储厂商而言，无疑是一个需要中长期密切关注的行业趋势。

值得一提的是，三星电子和SK海力士均在国内设有重要的生产基地。三星西安工厂承担着其全球约40%的NAND产能，而SK海力士则在无锡、大连等地设有DRAM和NAND生产基地。行业人士强调，当前国内市场仍然是全球头部存储厂商不可或缺的生产和需求重地，相关厂商必须持续加强核心工艺、良率以及封装技术的管理，以保持竞争优势。