长电科技攻克玻璃基TGV射频IPD工艺难题，开启新路径

据徽声在线4月17日最新消息，长电科技于当日正式对外公布，其已成功攻克基于玻璃通孔（TGV）架构与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）技术的晶圆级射频集成无源器件（IPD）工艺难题。经过严谨的测试结构试制以及全面的实测评估，长电科技充分证实了在玻璃基底上打造三维集成无源器件具备极高的可制造性，并且展现出显著的性能优势。这一重大突破为5G通信技术，以及面向未来6G的更宽带宽射频前端与系统级封装优化开辟了全新的工程化路径，有望推动整个行业在相关领域的技术升级与发展。