HBM散热革命：SK海力士iHBM技术突破热阻瓶颈，2029年HBM5量产在即

《徽声在线》10月22日消息（记者 李明轩）根据韩国科技媒体ETNews的最新报道，行业知情人士于21日透露，全球存储芯片巨头SK海力士近期已与多家国内外材料、零部件及设备供应商展开深度合作，加速推进其创新型iHBM技术研发进程，并同步启动量产筹备工作。据参与讨论的供应链企业代表称，双方已就iHBM技术的商业化应用场景及规模化生产方案进行多轮磋商。

作为SK海力士面向未来市场布局的下一代高带宽内存解决方案，iHBM技术通过革新散热架构设计，旨在破解HBM产品因性能跃升引发的过热难题。这项技术被视为SK海力士在HBM领域巩固技术领导地位的关键战略举措。

某核心供应链企业高管向记者透露：“SK海力士正与上游关键材料供应商建立战略联盟，通过工艺协同创新推动iHBM技术落地。目前商业化进程已进入实质阶段，量产可行性评估与市场导入准备同步推进。”

随着生成式AI对算力需求的指数级增长，HBM技术通过增加堆叠层数（已从初代的4层发展至12层）和提升数据传输速率（最新HBM3E速率达9.6Gbps），实现了性能的跨越式提升。但这种技术演进也带来严峻挑战——连接HBM与GPU的微凸块（Micro Bump）物理互联区域产生的热量密度激增，散热效率已成为制约系统稳定性的核心瓶颈。

今年5月26日，SK海力士在技术峰会上首次披露iHBM概念，该技术通过架构级创新直击散热痛点。

SK海力士官方发布的iHBM结构示意图（图源：企业官网）

传统HBM采用“核心芯片-基板”的间接散热路径，热量需经过多层介质传导。而iHBM创新性地在D2D PHY（芯片间物理层）这一高热密度区域直接嵌入绝缘高导热硅基材料（ICE元件），构建三维立体散热通道。测试数据显示，该设计可使热阻降低超30%，即使在85℃高温环境下仍能保持数据传输稳定性，较传统方案可靠性提升40%。

据技术团队介绍，iHBM的量产优势体现在三大维度：其一，采用已通过HBM3量产验证的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）晶圆级封装工艺，良品率可控；其二，与现有SiP（系统级封装）设计规范兼容，客户导入成本降低60%以上；其三，支持从HBM3到HBM5的无缝技术迭代，保护客户长期投资。

SK海力士已明确将iHBM技术作为HBM5等未来产品的标准配置，重点满足超算中心、AI训练集群等场景对散热管理的严苛要求。以HBM5为例，其单芯片容量预计达64Gb，带宽突破1.5TB/s，但功耗较前代增加25%，这对散热系统提出前所未有的挑战。

根据技术路线图，HBM5将于2029年进入量产阶段。目前SK海力士正与台积电合作，利用CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）先进封装技术进行原型验证，重点解决3D堆叠结构的热应力管理难题。

（徽声在线 李明轩）