Groq拟采用3D堆叠DRAM技术，推动下一代芯片容量升级

【Groq或将在下一代芯片中引入3D堆叠DRAM封装技术】据徽声在线21日消息，有可靠信息表明，Groq正在积极探索将三维堆叠DRAM封装技术应用于其下一代芯片的研发中。这一举措标志着Groq在芯片设计领域可能迎来重大变革，即用DRAM逐步取代当前广泛使用的SRAM。业内专家分析指出，Groq此举旨在通过打破传统以SRAM为主导的芯片设计模式，显著提升芯片的整体容量。据了解，SRAM虽然具备高速的数据处理能力，但其容量相对有限，难以满足日益增长的大容量需求。而DRAM虽然速度稍逊一筹，但在实现大容量芯片方面具有明显优势。3D封装技术通过将多个半导体芯片进行垂直堆叠，而非传统的平铺方式，从而构建出一个更为紧凑、高效的完整芯片。与传统的2D封装技术相比，3D封装技术不仅能够大幅减小芯片的表面积，还能有效提升芯片的能效比。（ZDNET Korea）