顺应英伟达标准化需求 三星携手台积电首度合作打造HBM！

徽声在线10月19日讯（编辑 李华）最新行业动态显示，三星电子已确定采用台积电先进的3纳米制程技术，为英伟达量身打造下一代高带宽内存（HBM）的基础芯片。这一举措标志着三星与台积电在HBM制造领域的首次深度合作，具有里程碑意义。

据知情人士透露，英伟达已向三星、SK海力士及美光科技等内存巨头提出明确要求，即采用台积电的尖端工艺来制造NVHBM的基础芯片，并同时运用第六代DRAM技术来打造核心芯片。三星在经过内部细致评估后，决定接受英伟达的这一要求，但同时表示将保留其内部生产模式，以继续服务标准HBM市场及其他客户的定制化需求。

英伟达在8月发布的NVHBM方案中，创新性地将其定制内存控制器集成至基础芯片之中，此举旨在推动多个内存供应商之间的标准化实施，提升整体产业效率。

标准化生产新路径

在HBM的生产模式上，三星传统上采用“交钥匙（Turn-key）”模式，即从设计到封装的全流程均由单一供应商独立完成，为客户提供了极大的便利。而SK海力士则选择了专业分工的道路，将HBM4的基片生产交由台积电负责。此次三星与台积电的合作，无疑是对这一行业格局的一次重要调整。

根据最新消息，三星与台积电将携手开发基于3纳米制程的基片，其最终目标在于生产出标准化的产品，从而大幅简化NVHBM的质量验证流程，提高生产效率。

英伟达此前曾表示，其自主研发的NVHBM方案相较于标准HBM4E，能够提供高达30%的内存带宽提升，同时功耗降低15%。然而，要实现这些显著优势，英伟达必须确保其内存供应商之间的生产标准化，以避免因技术差异导致的性能波动。

为此，英伟达明确要求其基础芯片必须统一采用台积电的3纳米工艺，以消除对各厂商样品单独验证的繁琐过程，从而节省大量时间和资源，减轻不必要的负担。而核心芯片方面，则统一采用1c工艺，即第六代DRAM工艺，以确保性能的一致性和稳定性。

面对NVHBM带来的巨大市场需求，三星对于与台积电的临时合作持开放态度。该公司表示，将继续深耕标准HBM市场，并满足其他客户的定制化需求，同时也在积极探索成为NVHBM基片产能备份的可能性，以进一步拓展其业务版图。

（徽声在线 李华）