英伟达Rubin Ultra芯片内存方案或生变：8层HBM成降本新选择

【独家】英伟达Rubin Ultra芯片内存方案或迎重大调整：拟从12层HBM转向8层设计

据《科创板日报》10日最新报道，产业链知情人士透露，英伟达正在重新评估其下一代Rubin Ultra人工智能加速器的内存架构方案。此前规划的12层高带宽内存（HBM）堆叠设计或将被8层方案取代，这一调整主要基于当前存储芯片市场持续攀升的成本压力。

行业分析指出，随着HBM3/3E等新一代内存产品价格较前代上涨约30%-50%，芯片厂商正面临严峻的成本控制挑战。英伟达此次方案调整不仅涉及物理层数减少，更包含对内存带宽分配、散热设计以及整机系统能效比的全面优化。据技术文档显示，8层HBM方案在特定工作负载下可实现与12层方案相当的综合性能，同时将单位带宽成本降低约22%。

值得关注的是，此次调整或将影响英伟达与SK海力士、三星等主要HBM供应商的合作关系。市场研究机构TrendForce预测，若方案最终落地，2025年HBM市场供需格局可能产生连锁反应，部分中低端AI加速卡或加速采用分层存储架构设计。（消息来源：台湾电子时报）