三星4nm产能全力转向HBM4 存储巨头展开技术路线竞赛

徽声在线9月8日讯（编辑 李明）根据多方消息汇总，由于全球市场对高带宽内存（HBM）的需求呈现爆发式增长，三星电子近期已将旗下4纳米制程产能的半数以上用于内存芯片生产。

据供应链人士透露，截至8月底，三星4纳米芯片产线中50%的产能已转向HBM4内存芯片制造，当前该制程已实现满负荷运转，其中50%-60%的晶圆产出专门用于HBM4基础裸片生产。

产业调研显示，三星位于韩国平泽市的P2、P3工厂承担着4-7纳米芯片的主要生产任务，依托S5、S6两条先进晶圆生产线。其中4纳米产线月产能达3万片，仅HBM4基础裸片就占据1.5万片产能，显示出该产品线的战略优先级。

值得关注的是，三星8月被曝正在推进2纳米制程的HBM芯片研发计划。据知情人士称，公司可能改造器兴工业区的某条试验线，专门生产面向英伟达的2纳米HBM产品，这标志着三星在先进制程内存领域的布局进一步深化。

产能竞赛白热化

KB证券最新研报指出，三星与SK海力士的存储芯片库存已压缩至不足10天用量，预计2025年将出现显著供应缺口。AI数据中心建设浪潮引发的需求激增，已成为推动内存市场结构性变革的核心动力。

当前三大存储厂商正展开激烈扩产竞赛：三星、SK海力士及美光科技均加速HBM产线建设，但这种战略转移不可避免地挤压了传统DRAM芯片的产能空间。行业分析师指出，这种产能结构调整或将持续影响内存市场价格走势。

据产业估算，三星与SK海力士当前HBM月产能均处于15-20万片区间，美光科技则计划在年底前将产能提升至10万片。值得注意的是，各厂商在HBM4技术路径选择上呈现差异化策略。

SK海力士采取代工合作模式，将基础裸片生产外包给台积电，并在初代HBM4产品中沿用成熟的1b工艺（10纳米级第五代DRAM技术）以确保良率。美光科技则采取稳健策略，现阶段重点推进产能爬坡与技术验证。

三星电子选择更具挑战性的技术路线，直接采用1c工艺（10纳米级第六代DRAM技术）并自主研发4纳米基础裸片。这种垂直整合模式若能突破良率瓶颈，有望在下半年HBM市场中占据更大份额。行业观察家认为，三星的激进策略或将重塑高端内存市场格局。

（徽声在线 李明）