英伟达Rubin Ultra芯片或采用8层HBM方案应对成本压力

【英伟达Rubin Ultra芯片或调整HBM堆叠层数至8层】据《科创板日报》10日最新报道，业内知情人士透露，英伟达正在评估其下一代Rubin Ultra人工智能加速器的技术方案，计划将原本规划的12层高带宽内存（HBM）堆叠架构调整为8层设计。这一调整被视为应对当前存储芯片市场价格持续攀升的应对策略，旨在通过优化内存层数平衡性能与成本，提升整机系统的性价比优势。（消息来源：台湾电子时报）

据供应链消息显示，随着HBM3E等新一代内存产品进入量产阶段，其制造成本较前代产品显著增加。英伟达此次技术路线调整，反映出AI芯片厂商在追求算力突破的同时，开始更加注重硬件架构的能效比优化。行业分析师指出，8层堆叠方案若能通过系统级设计实现带宽效率补偿，有望在保持性能竞争力的前提下降低约20%-30%的内存模块成本。