群联预警：2025年NAND Flash缺口难测 AI驱动存储需求进入黄金十年

【徽声在线独家报道】群联电子首席执行官潘健成在近日行业交流中透露，与两家主流NAND Flash原厂高层会晤时，对方均明确表示"2025年市场缺口规模难以预估"。这一表态印证了存储芯片行业持续供不应求的态势，标志着市场焦点已从"是否缺货"转向"资源分配权争夺"。据供应链消息显示，当前NAND Flash晶圆代工产能利用率维持在95%以上，部分关键制程订单已排至2026年。

潘健成特别强调，人工智能引发的半导体需求革命才拉开序幕。以台积电最新扩建的CoWoS先进封装产线为例，每万片AI芯片出货将直接带动3000TB HBM存储和1.2PB NAND缓存需求。行业分析师指出，随着大模型参数规模突破万亿级，单个训练集群的存储需求正以每年300%的速度增长，这种技术迭代带来的需求具有不可逆性。

值得关注的是，存储产业正呈现结构性分化特征。虽然三星、SK海力士等巨头计划在未来三年新增120万片/月产能，但其中70%将投向HBM和CXL等高端存储领域，传统NAND Flash产能年增幅预计不足15%。这种技术升级与产能错配的双重效应，或将使供需紧张态势延续至2030年后。群联内部预测显示，2025年企业级SSD价格较2024年四季度仍将上涨18-25%，消费级产品则受渠道库存影响保持微涨。