三星8层HBM4E研发加速，或成英伟达定制内存核心伙伴

8月31日最新消息透露，三星电子正在紧锣密鼓地研发一款专为英伟达定制需求打造的8层HBM4E（即第七代高带宽内存）产品，此举预示着三星有望在英伟达定制高带宽内存NVHBM的供应链中占据关键地位。英伟达对该产品的性能提出了严苛要求，速度需达到17至18Gbps，相较于三星之前HBM4E样品的14.4Gbps，这一速度提升幅度高达约20%，无疑是对三星技术实力的一次重大考验。

值得注意的是，英伟达此次在内存策略上做出了显著调整，从过去依赖增加堆叠层数来提升内存容量的做法，转变为“减少层数、提升速度”的新策略。具体而言，8层的设计相较于三星原计划的12层和16层方案，不仅降低了薄化、堆叠等后端工艺的复杂度，还有效减轻了良率方面的压力，为大规模供应提供了有力保障。据内部人士透露，NVHBM这款定制内存预计将被应用于英伟达明年推出的下一代GPU Rubin Ultra上，届时，其GPU互联规模将从现有的72颗大幅扩展至最多576颗，这一变革无疑将引领GPU性能迈向新的高度。