三星研发8层HBM4E，或成英伟达定制NVHBM核心伙伴

8月31日最新消息透露，三星电子正全力推进一项针对英伟达定制化需求的8层HBM4E（即第七代高带宽内存）的研发工作，此举有望使三星成为英伟达定制NVHBM高带宽内存的核心供应商。据内部人士透露，英伟达对这款产品的性能提出了严苛要求，速度需达到17至18Gbps，相较于三星之前展示的HBM4E样品14.4Gbps的速度，这一要求意味着性能将提升大约20%，显示出英伟达对数据传输速度的极致追求。

值得注意的是，与以往通过增加堆叠层数来提升内存容量的传统做法不同，英伟达此次采取了截然不同的策略——“减少层数、提升速度”。具体而言，8层的设计相较于三星原本计划的12层和16层方案，显得更为精简。这一变革不仅降低了薄化、堆叠等后端工艺的复杂度，还有效减轻了良率方面的压力，为大规模生产提供了有力保障。据行业分析师预测，这款NVHBM内存有望被应用于英伟达明年即将推出的下一代GPU Rubin Ultra中，届时GPU的互联规模将从现有的72颗大幅扩展至最多576颗，为数据处理和传输带来前所未有的速度与效率。