三星研发8层HBM4E，或成英伟达NVHBM定制内存主力军

在8月31日的最新行业动态中，有消息透露三星电子正紧锣密鼓地研发一款专为英伟达定制需求打造的8层HBM4E（即第七代高带宽内存）产品，此举有望使三星成为英伟达定制高带宽内存NVHBM的核心供应商。据透露，英伟达对该产品的速度要求极为严苛，需达到17至18Gbps，相较于三星此前HBM4E样品的14.4Gbps，性能提升幅度高达约20%，这无疑对三星的研发实力提出了巨大挑战。

值得注意的是，英伟达此次在内存策略上做出了重大调整，从以往通过增加堆叠层数来提升容量的方式，转变为“降低层数、提升速度”的新策略。具体而言，8层的设计相较于三星原计划的12层和16层方案，不仅降低了薄化、堆叠等后端工艺的难度，还有效减轻了良率压力，为大规模供应奠定了坚实基础。据行业分析，NVHBM这款定制内存预计将被应用于英伟达明年推出的下一代GPU Rubin Ultra中，届时其GPU互联规模将从现有的72颗大幅扩大至最多576颗，性能提升将极为显著。