三星研发8层HBM4E，或成英伟达定制内存NVHBM主力供应商

在8月31日的最新消息中，三星电子正紧锣密鼓地研发一款专为英伟达定制需求打造的8层HBM4E（即第七代高带宽内存）产品，此举预示着三星有望成为英伟达定制高带宽内存NVHBM的核心供应商。英伟达对该产品的性能提出了明确要求，速度需达到17至18Gbps，相较于三星之前HBM4E样品的14.4Gbps，这一提升幅度高达约20%，无疑将显著提升数据处理与传输的效率。

值得注意的是，英伟达此次在HBM内存策略上做出了重大调整，从过去依赖增加堆叠层数来提升容量的方式，转变为“降低层数、提升速度”的新策略。具体而言，8层的设计相较于三星原计划的12层和16层方案，不仅降低了薄化、堆叠等后端工艺的复杂度，还有效减轻了良率压力，为大规模供应提供了有力保障。据透露，NVHBM这款定制内存预计将被应用于英伟达明年推出的下一代GPU Rubin Ultra中，届时，其GPU互联规模将从现有的72颗大幅扩展至最多576颗，这一变革无疑将引领GPU性能迈向新的高度。