三星电子引领“Z轴”革命，zHBM与zNAND-O开启存储新篇章

徽声在线8月5日消息，当地时间8月4日，在美国加州圣克拉拉举办的未来存储与内存大会（FMS）上，三星电子正式对外公布了zHBM和zNAND-O两款创新概念产品，引发了业界的广泛关注。

据三星电子首席技术官宋载赫介绍，产品名称中的“z”代表着Z轴方向，意味着HBM或NAND将实现垂直方向的堆叠技术。具体而言，zHBM将高带宽内存直接垂直堆叠在AI加速器芯片之上，其性能预计将达到下一代HBM5的8倍之高。

在传统的芯片设计架构中，HBM内存堆叠与AI芯片通常是通过硅中介层并排集成在同一封装内，这种设计被业界称为2.5D封装。然而，zHBM的出现打破了这一局限，它通过最大限度地缩短AI处理器和内存之间的数据传输距离，从而提供了更高的带宽和更高的能效，为大规模AI训练和推理提供了超快速的数据处理能力。

三星电子进一步透露，结合下一代晶圆键合技术，zHBM的内存密度将超过HBM5的10倍，同时能效提升3倍，热阻降低超过50%。尽管该产品的量产时间预期设定在2029年前后，但目前尚未有明确的量产时间表公布。

图源：三星电子

与zHBM一同亮相的还有zNAND-O，这是一款专为端侧AI设计的高性能NAND闪存解决方案。

zNAND-O结合了V-NAND垂直堆叠技术与硅通孔（TSV）技术，实现了3D封装。该产品目标量产时间为2028年，将提供四层和八层两种版本供选择。凭借其高空间利用率和出色的响应速度，zNAND-O能够支持移动和端侧设备中的实时大规模数据处理需求。

从技术路径上来看，zNAND-O与SK海力士的HBF概念有一定的相似性，两者都采用了TSV技术的NAND闪存。但三星电子方面明确指出，HBF的设计初衷是在服务器端填补AI加速器旁侧的内存分层空缺，而zNAND-O则更侧重于面向端侧设备存储大型模型的应用场景。

图源：三星电子

除了上述两款“z”系列产品外，三星电子在大会期间还发布了V10 BV-NAND，这是首款采用晶圆键合（Bonding V-NAND）架构的3D NAND产品。

晶圆键合架构是一种创新的制造方法，它将单元和电路分别制造，然后通过垂直连接的方式组合在一起。通过将这种架构与三层堆叠技术相结合，V10 BV-NAND实现了超过400层的堆叠。与上一代产品（V9）相比，V10 BV-NAND的存储密度提高了约58%，为存储技术的发展带来了新的突破。

在当前AI技术迅猛发展的背景下，各巨头企业正加速推动存储技术的演化，以应对日益膨胀的AI推理需求。就在昨日，SK海力士与闪迪宣布推出高带宽闪存（HBF）的行业首套标准规范，进一步推动了HBF的标准化工作，以满足AI推理时代的需求。

招商证券分析认为，存储优化技术的不断发展将改善整体推理成本，进一步推动内存需求的用量。虽然存储优化技术看似降低了单设备的内存用量，但实际上其演进方向是最大化单位内存承载的上下文量与用户数，从而改善AI服务的经济性，扩大整体市场规模，形成进一步推升存储需求的正向循环。

（徽声在线 张真）