三星电子深化与英伟达NAND合作，V9、V10闪存产能再升级

7月21日最新消息，三星电子与英伟达在NAND闪存领域的合作正迈向新的高度。双方不仅在DRAM、高带宽内存（HBM）以及晶圆代工方面已有稳固的合作基础，如今更是在存储芯片供应上进一步深化了伙伴关系。据可靠消息透露，三星电子已经正式启动了第十代V-NAND（即V10）的量产工作，并且已经开始向英伟达稳定供货。与此同时，为了满足市场需求，三星还在积极扩大第九代V-NAND（V9）的生产规模，并加速推进第十一代500层级V-NAND（V11）的研发进程。目前，三星在V-NAND闪存芯片的生产上已经具备了相当的实力，月产能超过10万片，其中大约有60%的产能被分配给了V9产品，以确保市场的稳定供应。