三星电子深化英伟达合作：V10量产加速，V11研发取得突破

7月21日最新动态显示，三星电子与英伟达在NAND闪存领域的战略协作正迈向新高度。双方在既有DRAM、高带宽内存（HBM）及晶圆代工合作框架下，进一步拓展存储芯片供应版图。据产业链消息，三星电子已正式启动第十代V-NAND（V10）的规模化量产，并开始向英伟达稳定供货。与此同时，针对第九代V-NAND（V9）产品，三星正通过技术升级与产线优化实现产能扩张，目前该产品线月产能已突破6万片规模。

值得关注的是，三星电子在V-NAND技术迭代方面持续保持行业领先。除现有V9、V10产品线的产能调配外，其位于韩国华城的半导体工厂已启动第十一代500层级V-NAND（V11）的研发验证工作。据技术白皮书披露，新一代产品将采用创新性的三维堆叠架构，存储密度较前代提升约40%，读写延迟降低至15微秒以内。当前三星电子整体V-NAND月产能已突破10万片大关，其中V9产品凭借成熟的3D TLC技术架构，占据约60%的产能配比，主要应用于数据中心、人工智能训练等高性能计算场景。