芯片堆叠新工艺问世，HBM集成密度实现四倍提升

【芯片技术新飞跃：科学家研发堆叠新工艺，高带宽存储器集成密度激增四倍】徽声在线7月14日讯，近日，韩国工业技术研究所携手浦项科技大学的科研团队，共同宣布了一项革命性的芯片堆叠新工艺。该工艺成功实现了超过10片超薄半导体芯片的稳定堆叠，使得高带宽存储器（HBM）的集成密度达到了商用产品的四倍之多。这一重大突破，无疑为当前面临存储瓶颈的人工智能（AI）领域带来了新的曙光。相关研究成果已正式发表于最新一期的《工程成果》杂志上，引起了业界的广泛关注。