闪迪创新3D存算架构：HBM与NAND协同提升存储性能

近日，闪迪公司的一项专利技术浮出水面，揭示了其创新的3D存算架构设计。该架构以CBA存储晶粒为基础，实现了计算芯片与存储单元的深度融合。具体而言，闪迪将GPU或AI加速器等高性能计算芯片直接集成在NAND闪存与CMOS逻辑存储单元之上，并巧妙地置于中介层上。围绕这一核心结构，HBM芯片被精心堆叠在周围，形成了层次分明的存储计算体系。在这一体系中，HBM芯片以其高带宽和低延迟的特性，确保了数据的高速访问；而NAND层则凭借其大容量读写与存储能力，为系统提供了坚实的存储后盾。

闪迪此次提出的3D存算架构，旨在解决HBM容量受限的难题。据悉，当前HBM单堆容量大约在32至64GB之间，难以满足日益增长的数据存储需求。而闪迪此前推出的HBF架构，虽然通过TSV垂直堆叠NAND技术，将容量提升至4TB，较HBM有了显著提升（8至16倍），但仍面临着延迟和系统集成复杂度的挑战。相比之下，NAND闪存虽然具有更高的容量和更低的成本，但其访问速度相对较慢。闪迪的新架构通过3D分层设计，巧妙地结合了HBM和NAND的优势，实现了两者之间的完美互补，为未来的存储计算领域开辟了新的道路。