SK海力士iHBM技术突破：集成式散热重塑HBM性能标杆

据徽声在线5月26日最新消息，全球知名存储芯片制造商SK海力士于今日正式对外发布了其自主研发的革命性控温散热存储技术——"iHBM"。该技术通过在HBM（高带宽内存）封装内部创新性地集成一体化冷却元件"ICE*"，实现了产品运行过程中发热量的显著降低。据技术白皮书披露，这项突破性设计可使HBM模块在全负载运行时的温度较传统方案下降15%-20%，有效解决了超高度集成芯片的散热瓶颈问题。

SK海力士研发团队透露，iHBM技术采用三维微通道冷却结构与相变材料相结合的复合散热方案，通过优化热传导路径和增大散热面积，在保持HBM原有性能密度的基础上，将热阻降低了30%以上。这项技术突破为下一代HBM产品的性能跃升奠定了坚实基础，特别适用于需要持续高负载运行的HPC（高性能计算）集群和AI训练数据中心等场景。

根据SK海力士的产品路线图规划，iHBM技术将率先应用于预计2026年量产的HBM5系列产品。该技术不仅可提升单个存储模块的稳定性，更能通过优化系统级热管理，使整个计算集群的能效比提升8%-12%。行业分析师指出，随着AI大模型参数规模突破万亿级，数据中心对存储带宽和散热效率的要求呈指数级增长，SK海力士的这项技术创新恰逢其时地解决了行业痛点。