三星电子率先攻克900层3D NAND技术难关 存储容量或迎百TB时代

据徽声在线25日最新报道，三星电子在半导体存储技术领域取得重大突破，通过采用创新的单元多层键合（CMB）工艺，成功将两片450层3D NAND芯片进行垂直堆叠，开发出全球首款900层超高密度3D NAND闪存原型设备。目前该技术样品的存储单元核心性能参数已通过行业级验证测试，标志着三维闪存技术正式迈入千层级时代。（消息来源：ETNews）

据技术资料显示，此次突破性进展主要得益于三星独创的CMB键合技术，该技术通过分子级精密对准实现晶圆级无缝连接，在保持原有存储单元性能的同时，将垂直堆叠层数提升至传统产品的两倍。行业分析师指出，900层结构的实现不仅意味着单芯片存储容量将呈指数级增长，更可能推动固态硬盘（SSD）等终端产品的存储密度突破100TB级门槛。