长鑫科技科创板首秀：市值超茅台宁德时代，存储芯片格局生变
2026-09-20 08:05:52未知 作者:徽声在线
2026年7月27日
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撰稿人 |徽声在线 郑晓潼
7月27日，存储芯片领域迎来里程碑事件——长鑫科技（688825.SH）正式登陆科创板，开盘即暴涨455%，市值突破3.2万亿元大关，一举超越宁德时代（1.84万亿元）和贵州茅台（1.61万亿元），相当于两个茅台的市值总和，成为A股市场新的市值冠军。这一表现不仅刷新了科创板纪录，更引发市场对存储芯片行业的高度关注。
作为国内DRAM（动态随机存取存储器）领域的领军企业，长鑫科技已跻身全球第四大DRAM原厂行列。尽管市场份额与三星、SK海力士、美光三大海外巨头仍有差距，但其增长势头迅猛——根据Counterpoint最新数据，公司全球市场份额从去年一季度的3%跃升至今年一季度的8%，展现出强劲的追赶态势。
从全球竞争格局来看，今年第一季度三星以38%的份额稳居榜首，SK海力士（29%）和美光（22%）紧随其后。市值方面，美光科技7月24日美股收盘市值达1万亿美元（约合6.8万亿元人民币），SK海力士7月27日韩股市值约5.66万亿元人民币，三星电子则达6.66万亿元人民币。尽管长鑫科技与海外巨头存在差距，但其3.2万亿元的市值已显著缩小了这一鸿沟。
业绩表现同样亮眼。2023年长鑫科技实现扭亏为盈，营收617.99亿元，同比增长155.6%，归母净利润18.7亿元。今年一季度营收更飙升至508亿元，同比激增719.13%，归母净利润达247.62亿元。公司预计上半年营收将达1100亿至1200亿元，同比增长超6倍，归母净利润500亿至570亿元，展现出惊人的增长速度。
产能扩张是长鑫科技当前的核心战略。本次IPO预计募集资金579.19亿元（超额配售选择权行使前），资金将主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造和DRAM存储器技术升级项目。这一举措将显著提升公司的生产能力和技术水平，为未来市场竞争奠定坚实基础。
海外巨头同样在加速布局。6月底，韩国政府联合三星、SK集团宣布了总计4755万亿韩元的企业国内投资计划，重点聚焦半导体、物理AI和AI数据中心三大领域。其中，韩国西南部将投资800万亿韩元建设四座半导体制造厂，三星和SK海力士各建两座，进一步巩固其全球半导体产业地位。
7月，SK海力士通过美国存托凭证（ADR）在纳斯达克上市，募资约265亿美元，资金将用于扩大生产能力，包括建设龙仁半导体集群一期晶圆厂和清州先进封装工厂等项目。这一系列动作显示出海外巨头在存储芯片领域的持续投入和竞争决心。
在合作方面，全球存储芯片产业正形成新的联盟。7月25日，英伟达与SK集团达成价值5000亿美元的合作协议，涵盖AI工厂建设和下一代存储器供应，SK集团与美国公司的合作总额高达7500亿美元。三星电子则与博通签署了价值2000亿美元的内存供应和代工合作协议，进一步强化了产业链上下游的整合。
随着全球前四大DRAM厂商齐聚二级市场，AI需求驱动的存储周期上行成为投资者关注的焦点。业内普遍预测，存储供应紧张状况将持续至明年，并于2028年起逐渐改善，但对具体时间点仍存在分歧。AI技术的快速发展预计将持续扩大存储需求，为行业带来长期增长动力。
面对行业周期性波动的挑战，长鑫科技在招股书中明确提醒：未来人工智能发展对DRAM市场需求的影响存在不确定性。若AI下游需求不及预期或市场供需关系发生重大变化，DRAM行业可能再次进入下行周期，导致公司产品价格大幅下跌，业绩出现大幅下滑乃至亏损。这一风险提示反映了公司对行业风险的清醒认识。
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