红外成像芯片制备 中国团队获重要进展

【红外成像芯片制备 中国团队获重要进展】财联社10月30日电，将做好电路的芯片浸入常温水溶液，红外感光材料便在芯片表面直接“长”了出来。10月28日，华中科技大学光学与电子信息学院、武汉光电国家研究中心唐江教授团队在《自然》杂志在线发表一项研究成果，用室温水溶液工艺让硫化铅感光层直接生长在读出电路上，制成640×512像素的短波红外成像芯片。测试显示，该团队研制的光电二极管在室温下对2.5微米红外光的比探测率（衡量捕捉微弱光信号能力的指标）达到同类器件最高水平，高于同波长的商用铟镓砷探测器；成像芯片各像素响应的均匀性与商用铟镓砷芯片相当，在不制冷、不补光的条件下，清晰拍下了热水、电烙铁等80摄氏度至600摄氏度高温物体的红外图像。这项工艺还可用于柔性电路，制成可弯曲的成像阵列。