英飞凌豪掷11亿欧元扩建奥地利工厂，聚焦300毫米晶圆氮化镓功率半导体量产

在半导体产业持续革新的大背景下，英飞凌于10月27日正式对外公布了一项重大投资计划——将在欧洲范围内打造全球首个采用300毫米晶圆技术的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地。这一举措标志着英飞凌在氮化镓功率半导体领域的布局迈出了关键一步。作为该项目的核心组成部分，英飞凌计划在接下来的十余年里，即到2034年，向其位于奥地利菲拉赫的工厂现有洁净室设施投入高达约11亿欧元的资金。这笔巨额投资将主要用于对现有基础设施的升级改造以及新设备的引进，以期通过这些举措实现产能的显著扩张。按照规划，这座备受瞩目的生产基地预计将于2027年底正式投产，届时将为全球市场提供更为高效、可靠的氮化镓功率半导体产品。