三星电子预测：HBM明年DRAM产能占比将跃升至近30%

9月29日消息，有最新报道指出，三星电子的一位重要高管在近期的一次行业交流中透露，高带宽内存（HBM）技术将在未来一年内迎来显著增长。具体而言，该高管预计，到明年，HBM将占据动态随机存取存储器（DRAM）芯片生产商总晶圆产能的接近30%的份额，这一比例相较于当前的约20%水平，将有显著提升。