领开半导体A+轮融资落定 加速HBF+芯片研发与商业化布局

据徽声在线科技频道16日消息，宁波领开半导体技术有限公司（简称“领开半导体”）近日宣布成功完成A+轮战略融资，本轮投资阵容包括三花弘道投资、德同资本及辰韬资本三大知名机构，不过具体融资金额尚未对外公布。

此次募集的资金将重点投向新一代HBF+芯片的研发深化、量产加速以及市场拓展，旨在加速自主存储架构从技术验证向商业化、规模化应用的转型进程。

值得注意的是，德同资本已连续两轮对领开半导体进行追加投资，显示出对其技术实力和市场前景的高度认可。

根据财联社创投通—执中数据的预测模型，以2026年9月为时间节点，领开半导体在未来两年内获得新一轮融资的概率高达88.41%，预示着其良好的资本化前景。

领开半导体自2020年成立以来，便扎根于浙江省宁波市镇海区，专注于基于自研ATopFlash技术及HBF+架构的存储芯片研发，致力于打破国外技术垄断。

公司自主研发的ATopFlash核心技术，巧妙融合了3D NAND的高密度存储优势与DRAM的并行读取特性，推出的新一代HBF+芯片不仅具备高带宽、大容量、低功耗的显著特点，其读操作核心参数更可与HBM4相媲美，且不占用传统DRAM产能，通过自有工艺与芯片设计的深度协同优化，显著提升了数据访问效率。

目前，领开半导体正围绕AI推理大模型对权重存储的特殊需求，积极推进HBF+芯片的产品验证与客户适配工作，力求在满足推理性能的同时，有效降低部署与运行成本，推动自主存储架构的广泛应用。

在高带宽闪存这一热门赛道上，随着政策扶持力度的加大和行业巨头的竞相布局，技术突破与产业化落地的步伐正在加快。

资本化方面，铠侠控股近期宣布计划在美国证券交易所挂牌上市其代表普通股的“美国存托股票”（ADS），旨在通过扩大投资者基础来提升企业价值。

竞争格局上，铠侠在高带宽闪存（HBF）领域持续发力，其原型产品容量已达到HBM3E模块的40倍；而闪迪则推出了HBF高带宽闪存方案，借鉴HBM的垂直堆叠思路，通过TSV硅通孔多层互联技术，将多个NAND层垂直堆叠，实现了单堆容量最高可达4TB的突破。

政策层面，工业和信息化部、国家发展改革委联合印发的《电子信息制造业发展“十五五”规划》中明确提出，要加快发展先进存力，推动以存强算、以存代算，并重点研发高带宽闪存、高带宽内存等新型存储产品。同时，上海市人民政府也在其《上海市加快推进新型工业化构建现代化产业体系“十五五”规划》中强调，要推进存储芯片技术达到国际先进水平。

行业趋势方面，高盛在最新发布的研报中指出，闪迪投资者日所释放出的信号表明，其长期盈利能力和股东回报预期均强于市场预期，同时HBF（高带宽闪存）技术的崛起为AI存储领域带来了额外的增长空间。

（徽声在线科技频道记者 徐杰）