英伟达Rubin Ultra芯片内存方案生变：8层HBM或成降本关键

【独家】英伟达Rubin Ultra芯片内存方案或迎重大调整：拟从12层HBM转向8层堆叠

据徽声在线科技频道10日独家获悉，英伟达正在对其下一代Rubin Ultra人工智能加速器的内存架构进行关键性技术评估。消息人士透露，该公司正考虑将原计划的12层高带宽内存（HBM）堆叠方案调整为8层配置，此举被视为应对当前存储芯片市场价格持续攀升的战略性应对措施。

行业分析指出，随着HBM3e等高端存储芯片价格较去年同期上涨超过40%，英伟达在保持算力性能的同时，开始将优化重点转向系统级成本效益。据供应链数据显示，采用8层堆叠方案可使单颗芯片的存储采购成本降低约28%，同时通过优化互连架构可维持90%以上的原始带宽性能。

值得关注的是，此次调整或将影响英伟达与SK海力士、三星等主要HBM供应商的采购协议。业内专家表示，8层堆叠方案对封装工艺提出更高要求，需要重新验证2.5D封装中的硅中介层（Interposer）设计，这可能使新产品量产时间推迟1-2个季度。（综合台湾电子时报技术分析报告）