长鑫科技G5平台量产与LPDDR6首秀，携手“豆包手机”共绘存储新篇章

徽声在线9月20日讯（记者 李明远 张晓薇）在今日盛大开幕的2026世界制造业大会上，长鑫科技（688825.SH）震撼发布了其第五代DRAM技术平台（简称“G5平台”），并同步展示了基于该平台精心打造的大容量LPDDR5X新品，这一举措无疑为存储行业注入了新的活力。

长鑫科技副总裁骆晓东在大会开幕式上自豪地宣布，基于G5平台的产品已正式迈入量产阶段，并成功打入国产主流旗舰手机市场，实现了国产存储技术的重大突破。尤为引人注目的是，长鑫科技在8月底刚刚宣布量产的LPDDR6也在此次大会上首次公开亮相，引发了业界的广泛关注和热烈讨论。

LPDDR5X新品展示 徽声在线记者 摄

骆晓东在开幕式上详细介绍了G5平台的创新之处。他表示，该平台采用了先进的四重曝光技术，将内存阵列的有源区半间距成功微缩至11.95纳米，这一成就已接近全球最顶尖的内存量产平台制程水平。同时，通过变革工艺流程和采用新材料，存储电容深宽比达到了惊人的45:1。此外，长鑫科技还成功开发了适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，将G5平台核心功能区高度缩小至6762纳米。骆晓东还透露，在第五代平台的研发过程中，公司引入了AI大模型和全流程数字孪生仿真技术，这些前沿技术的应用极大地提升了研发效率。

在性能方面，G5微缩工艺的突破带来了存储密度的跨越式提升。据骆晓东介绍，每片晶圆产出的裸片数量较第四代平台至少提升了50%，同时在产品能效和成本控制方面也展现出了显著优势。这一成果不仅彰显了长鑫科技在存储技术领域的深厚实力，也为国产存储产品的市场竞争力增添了重要筹码。

本次大会上，长鑫科技还同步展出了两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品。这两款产品单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升了50%，分别采用了496ball和245ball两种封装规格，可灵活适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求。目前，这两款产品均已进入规模量产阶段，为国产存储产品的市场普及奠定了坚实基础。

徽声在线记者在展会现场观察到，长鑫科技的展台前吸引了众多观众驻足观看。据工作人员介绍，LPDDR5X新品作为第五代超低功耗双倍数据速率同步动态随机存储器，主要应用于智能手机、可穿戴设备、平板电脑等移动设备领域。其依托长鑫最新自研的第五代技术平台，实现了核心性能的全维度升级。

在优势方面，该产品不仅具备出色的性能表现，还推出了两类封装规格以率先适配智能手机场景。长鑫科技表示，未来将持续迭代丰富产品矩阵，以覆盖更广泛的终端应用需求，为国产存储技术的发展贡献更多力量。

回顾长鑫科技的发展历程，不难发现其技术升级速度之快令人瞩目。

骆晓东在会上感慨地说：“在2019年的世界制造业大会上，我们正式官宣了第一代技术平台DDR4内存芯片投产。当时，DRAM产品长期被海外企业垄断，我们推出了国内首颗自主研发的DRAM内存芯片，打破了这一局面。此后，我们不断迭代技术平台，产品也从DDR4不断升级至DDR5并实现量产。近期，我们还与小米宣布全球首发量产先进的低功耗存储器，公司研发生产水平已跻身全球前列。”

值得一提的是，8月底长鑫科技LPDDR6将落地小米玄戒O3芯片的消息曾引发市场广泛关注。长鑫科技方面向徽声在线记者透露，公司的LPDDR6已经实现量产，并将首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机，为用户带来更加流畅的使用体验。

据悉，这是中国存储企业首次在高端内存标准上实现全球首发量产。LPDDR6芯片最高传输速率达12800Mbps，较上一代LPDDR5X提升速率约20%，同时功耗降低20%。通过设计、工艺等方面的创新，该产品大幅提升了可靠性与性能，为国产存储产品在国际市场上赢得了更多话语权。

此次大会上，LPDDR6芯片也随LPDDR5X一同展出，这是该芯片的首次公开展出，吸引了众多观众围观和咨询。

LPDDR6芯片展示 徽声在线记者 摄

此外，在展会现场，长鑫科技还展示了全球首款由中兴通讯与字节跳动联合研发的AI智能体手机——“豆包手机”。这款手机的亮相无疑为展会增添了一抹亮色。

据长鑫存储官方微博发布的消息，努比亚NaviXUltra搭载了长鑫最高速率10667Mbps的LPDDR5X内存。这是国产10667Mbps高速率LPDDR5X芯片首次实现量产应用，标志着国产存储技术在高速率领域取得了重要突破。

“豆包手机”展示 徽声在线记者 摄（徽声在线记者 李明远 张晓薇）