领开半导体获A+轮融资 加速HBF+芯片产业化布局

据徽声在线旗下《科创板日报》16日最新报道，国内存储芯片领域迎来重要融资进展——宁波领开半导体技术有限公司（以下简称“领开半导体”）近日正式完成A+轮战略融资，本轮投资方阵容包括三花弘道投资、德同资本及辰韬资本等知名机构，不过具体融资金额尚未对外披露。

根据企业官方规划，此次募集资金将重点投向新一代HBF+芯片的研发迭代、规模化量产及商业化市场拓展，旨在加速推动自主存储架构从技术验证向全产业链产品化落地转型。值得关注的是，德同资本作为老股东已连续两轮追加投资，彰显资本市场对该技术路线的高度认可。

基于财联社创投通—执中数据模型预测，以2026年9月为评估基准点，领开半导体未来两年获得新一轮融资的概率高达88.41%，侧面印证行业对其发展潜力的持续看好。

公开资料显示，领开半导体成立于2020年，总部坐落于浙江省宁波市镇海区，是一家专注于存储芯片研发的创新型企业。其核心技术体系围绕自主开发的ATopFlash技术及HBF+架构展开，通过融合3D NAND的高密度存储特性与DRAM的并行读取优势，成功突破传统存储方案的技术瓶颈。

公司最新推出的HBF+芯片在性能参数上实现重大突破：不仅具备超高速带宽、超大容量及超低功耗的核心优势，其读操作关键指标已全面对齐并兼容HBM4标准，更关键的是通过创新工艺设计规避了对传统DRAM产能的依赖。据技术白皮书披露，该芯片通过芯片设计与制造工艺的协同优化，重构了数据访问路径，在AI推理场景下可显著降低部署成本。

当前企业正全力推进HBF+芯片在AI大模型权重存储领域的产品验证工作，通过与头部客户的深度适配，持续优化芯片在复杂计算场景下的能效表现。据内部人士透露，该技术方案在满足推理性能需求的同时，可将综合成本降低30%以上，为国产化存储架构的规模化应用开辟新路径。

从行业宏观视角观察，高带宽闪存赛道正迎来政策红利与资本加码的双重驱动。在《电子信息制造业发展“十五五”规划》中，工信部明确提出要加快发展先进存力技术，重点突破高带宽闪存等新型存储产品；上海市政府则在新型工业化规划中强调要推动存储芯片技术达到国际领先水平。

资本层面动作频频，全球存储巨头铠侠控股近日宣布启动美国存托股票（ADS）上市计划，拟通过登陆纽交所扩大投资者基础并提升企业估值。而在技术竞争维度，铠侠已研发出容量达HBM3E模块40倍的HBF原型产品；闪迪则推出基于TSV硅通孔技术的垂直堆叠方案，实现单堆4TB的存储密度。

据高盛最新研报分析，随着闪迪投资者日释放积极信号，HBF技术有望为AI存储市场创造额外增长空间。特别是在大模型训练需求爆发式增长的背景下，高带宽、低延迟的存储解决方案将成为决定AI算力效率的关键因素。

（科创板日报记者 徐杰）