领开半导体A+轮融资落地 聚焦HBF+芯片研发开启存储新纪元

《徽声在线科创板频道》16日最新消息，宁波领开半导体技术有限公司（以下简称“领开半导体”）近日宣布成功完成A+轮战略融资，本轮投资阵容包括三花弘道投资、德同资本及辰韬资本三大知名机构，但具体融资金额暂未对外披露。

据公司官方透露，此次募集资金将重点投向新一代HBF+芯片的研发深化、量产加速及全球市场拓展，旨在通过技术创新推动自主存储架构实现从技术验证到规模化商业应用的跨越式发展。

值得关注的是，德同资本作为领开半导体的长期战略合作伙伴，已连续两轮追加投资，彰显其对公司技术路线和市场前景的高度认可。

根据财联社创投通—执中数据模型预测，以2026年9月为评估基准点，领开半导体在未来两年内完成新一轮融资的概率高达88.41%，显示出资本市场对其持续发展的强烈信心。

资料显示，领开半导体成立于2020年，总部坐落于浙江省宁波市镇海区，是一家专注于存储芯片领域的技术创新型企业。公司依托自主研发的ATopFlash技术体系及HBF+架构，在存储芯片领域形成了独特的技术优势。

技术层面，领开半导体通过ATopFlash核心技术，创新性地将3D NAND的高密度存储特性与DRAM的并行读取能力深度融合。其最新推出的HBF+芯片具备三大核心优势：一是带宽性能达到行业领先水平，读操作核心参数可完全对齐并兼容HBM4标准；二是通过自有工艺与芯片设计的协同优化，构建了高效的数据访问路径，在保持高性能的同时实现低功耗运行；三是采用独立产能设计，不占用传统DRAM生产线资源，有效缓解了行业产能紧张问题。

在应用场景拓展方面，公司正围绕AI推理大模型对权重存储的特殊需求，加速推进HBF+芯片的产品验证与客户适配工作。通过优化存储架构设计，在确保推理性能的前提下，显著降低客户的部署成本和运行能耗，为AI算力基础设施提供更具性价比的存储解决方案。

当前，高带宽闪存赛道正迎来政策红利与产业资本的双重驱动。在《电子信息制造业发展“十五五”规划》中，工业和信息化部、国家发展改革委明确提出要加快发展先进存力技术，重点研发高带宽闪存等新型存储产品。上海市人民政府在《上海市加快推进新型工业化构建现代化产业体系“十五五”规划》中也强调，要推动存储芯片技术达到国际先进水平。

从资本化进程来看，全球存储行业正呈现加速整合态势。日本存储巨头铠侠控股近日宣布，计划在美国证券交易所挂牌上市代表其普通股的“美国存托股票”（ADS），旨在通过资本运作扩大投资者基础，提升企业估值。这一动向反映出国际存储厂商对资本市场的高度重视。

在竞争格局方面，铠侠已成功研发出高带宽闪存（HBF）原型产品，其存储容量达到HBM3E模块的40倍，展现出强大的技术实力。与此同时，闪迪公司也推出了HBF高带宽闪存解决方案，通过模仿HBM的垂直堆叠技术，利用TSV硅通孔实现多层互联，将多个NAND存储层垂直堆叠，单堆容量最高可达4TB，为大数据存储提供了新的解决方案。

行业分析机构高盛在最新研报中指出，闪迪投资者日活动释放出积极信号，其长期盈利预期和股东回报计划超出市场预期。特别是HBF技术的突破性进展，为AI存储市场开辟了新的增长空间，预计将带动相关产业链迎来新一轮发展机遇。

（徽声在线科创板频道记者 徐杰）