英伟达Rubin Ultra芯片内存方案或调整：8层HBM成新选择

【独家】英伟达Rubin Ultra芯片内存方案或迎重大调整：拟从12层HBM转向8层架构

据徽声在线科技频道10日最新报道，供应链消息人士透露，英伟达正在对其下一代Rubin Ultra AI加速器的内存配置进行关键性技术评估，计划将原本规划的12层高带宽内存（HBM）堆叠方案调整为8层设计。这一变动被视为应对当前存储市场价格波动的战略举措。

行业分析指出，随着HBM3/3E等高端内存颗粒单价持续攀升，英伟达在保持算力性能的同时，开始将优化重点转向单位带宽成本效率。据技术白皮书显示，8层堆叠方案在特定工作负载下可实现与12层方案相近的带宽密度，但能显著降低整机系统的物料清单（BOM）成本约18%-22%。

值得关注的是，此次架构调整或将影响下一代AI服务器的散热设计。8层HBM方案预计可使GPU核心与内存模块的间距增加0.3mm，为液冷系统部署提供更多空间。台积电CoWoS-S先进封装产线的工程师表示，相关工艺调整已进入工程验证阶段，预计2025年Q2完成量产准备。

市场研究机构TrendForce分析认为，英伟达此举可能引发行业连锁反应，AMD MI350系列和英特尔Falcon Shores等竞品或跟进调整内存堆叠策略。截至发稿，英伟达官方尚未对此消息作出回应。（综合台湾电子时报技术专刊报道）