三星4nm产能转向HBM4 存储巨头展开技术路线博弈

徽声在线9月8日消息（编辑 李轩）根据多方渠道综合消息，受高带宽内存（HBM）市场持续供不应求影响，三星电子已将4纳米制程产能的半数资源向内存芯片领域倾斜。

最新行业数据显示，截至8月底，三星4纳米芯片产线中50%的产能已用于HBM4内存芯片生产。随着订单量持续攀升，该制程产线现已实现满负荷运转，其中50%-60%的晶圆被用于制造HBM4基础裸片。

据产业链人士透露，三星韩国平泽基地的2号、3号园区承担着4-7纳米芯片生产任务，主要依托S5、S6两条晶圆产线。其中4纳米产线月产能达3万片，当前HBM4基础裸片月产量已达1.5万片规模，占整体产能的半壁江山。

值得关注的是技术迭代动向，8月行业曾传出三星正在评估将2纳米制程引入HBM基础裸片生产。知情人士称，三星可能改造器兴工业区的某条产线，其2纳米HBM芯片或将作为英伟达的专属供应方案。

产能博弈升级

KB Securities最新研报指出，三星与SK海力士的存储芯片库存周期已压缩至不足10天，预计2025年将出现显著供应缺口。AI数据中心建设浪潮引发的需求激增，已成为内存芯片市场失衡的核心推手。

当前三大存储巨头均加速HBM产能扩张：三星、SK海力士与美光科技在增产同时，不可避免地挤压了传统DRAM芯片的产能空间。行业分析师指出，这种结构性调整或将持续至2025年。

产能规模方面，业内估算三星与SK海力士当前HBM月产能均处于15万-20万片区间，美光科技则计划在年底前将月产能提升至10万片。值得关注的是技术路线分化，三家企业正采取差异化竞争策略。

在HBM4芯片布局上，SK海力士选择将基础裸片生产外包给台积电，其初代产品采用成熟的1b工艺（10纳米级第五代DRAM技术）确保良率。美光科技则采取稳健策略，现阶段重点突破产能瓶颈。

三星电子则展现出激进姿态，直接采用1c工艺（10纳米级第六代DRAM技术）并自主研发4纳米基础裸片。这种垂直整合模式可实现代工、封装工艺的深度协同，若良率达标有望在下半年抢占更多市场份额。

（徽声在线 李轩）