三星4nm产能大转向：HBM4芯片占比过半 2nm研发加速

徽声在线9月8日消息（记者 李阳）综合多方渠道信息，受高带宽内存（HBM）市场供需失衡影响，三星电子已将4纳米制程产能的50%转向内存芯片生产领域。

据供应链人士透露，截至8月底，三星4纳米芯片产线中已有半数产能用于HBM4内存芯片制造，当前该制程产线已实现满负荷运转，其中50%-60%的晶圆产出专门用于HBM4基础裸片生产。

记者从产业渠道获悉，三星韩国平泽基地的2号、3号园区承担着4-7纳米芯片制造任务，主要依托S5、S6两条12英寸晶圆生产线。其中4纳米产线月产能达3万片，仅HBM4基础裸片就占据1.5万片产能，这种产能分配比例在存储芯片行业实属罕见。

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值得关注的是，三星8月被曝正在推进2纳米HBM芯片研发计划。据知情人士透露，其韩国器兴工业区的试验产线已完成改造，未来生产的2纳米HBM芯片或将独家供应英伟达AI加速卡。这项技术突破可能使三星在高端HBM市场建立代际优势，但目前良率稳定性仍是关键挑战。

KB证券最新研报显示，三星与SK海力士的存储芯片库存周期已压缩至不足10天，预计2025年将出现显著供应缺口。这种紧张局面主要源于AI数据中心建设带来的爆发式需求，当前三大存储厂商的扩产计划均向HBM倾斜，传统DRAM产能受到明显挤压。

据产业调研数据，三星与SK海力士当前HBM月产能维持在15-20万片区间，美光科技则计划在年底前将产能提升至10万片。值得关注的是，HBM4芯片的技术路线已出现分化：SK海力士选择将基础裸片外包给台积电，采用成熟的1b工艺（10纳米级第五代DRAM技术）确保良率；美光则采取保守策略，现阶段专注产能爬坡而非技术跃进。

三星电子在技术路径上展现出激进姿态，其HBM4产品直接采用1c工艺（10纳米级第六代DRAM技术），并自主研发4纳米基础裸片。这种垂直整合模式使其代工、封装工艺形成协同效应，行业分析师指出，若良率问题得到有效解决，三星有望在下半年抢占30%以上的HBM4市场份额。

（徽声在线 李阳）