英伟达Rubin Ultra芯片内存方案生变：8层HBM或成新选择

【独家消息】英伟达Rubin Ultra芯片或调整HBM堆叠层数至8层

《科创板日报》10日最新报道，据半导体行业内部知情人士透露，英伟达公司正在重新评估其下一代Rubin Ultra人工智能加速器的内存架构方案。此前规划的12层高带宽内存（HBM）堆叠设计或将调整为8层结构，这一战略转向主要基于当前存储芯片市场持续攀升的成本压力。

行业分析指出，随着HBM3/3E等高端存储器价格较前代产品上涨超过40%，科技巨头们开始重新权衡硬件配置的性价比。英伟达此次调整不仅涉及内存层数，更包含对封装工艺、散热方案及系统级优化的综合考量。据供应链消息，采用8层堆叠方案可使单GB带宽成本降低约28%，同时提升整机系统的能效比。

值得关注的是，此次架构调整可能影响未来AI服务器的采购决策。某服务器厂商技术总监表示："在保证计算性能的前提下，内存配置的优化将直接影响数据中心的总拥有成本（TCO）。英伟达的方案调整或将引发行业对HBM堆叠技术的重新思考。"（综合台湾电子时报等消息）