三星4nm制程全力生产HBM4 产能扩张应对市场饥渴

徽声在线9月8日讯（记者 李轩）综合多方消息，由于全球市场对高带宽内存（HBM）的需求持续激增，远超当前供应能力，三星电子已做出重大产能调整，将其4纳米制程的半数产能转向内存芯片生产。

据可靠消息透露，截至上月末，三星电子4纳米芯片产能中已有50%被用于HBM4内存芯片的生产。目前，该制程已处于满负荷运转状态，其中50%至60%的产出均用于制造HBM4基础裸片，以满足市场迫切需求。

据内部人士披露，三星电子位于韩国平泽的工厂2号和3号园区，承担着4纳米至7纳米芯片的生产任务，主要依赖S5和S6两条晶圆生产线。其中，4纳米芯片的月产能已达3万片，而用于HBM4基础裸片的生产量目前占据了一半，即1.5万片。

另有消息称，三星电子正积极探索将更先进的2纳米制程应用于HBM基础裸片的生产。为此，三星可能对其位于韩国器兴工业区的一条生产线进行改造，以生产2纳米HBM芯片，并有望成为英伟达的专属供应商。

产能扩张与市场竞争

韩国券商KB Securities在最新报告中指出，三星电子与SK海力士的存储半导体库存已缩减至不足10天的供应量，预示着明年市场供应将面临严峻挑战。这一局面主要由人工智能数据中心对内存芯片的巨大需求所驱动，导致当前内存芯片供不应求。

为应对这一挑战，三星电子、SK海力士以及美光科技均加速了HBM芯片的扩产步伐。然而，这一举措也不可避免地挤压了传统DRAM芯片的产能空间。

据业内估算，三星电子与SK海力士当前的HBM月产能均介于15万至20万片之间，而美光科技则设定了今年底达到10万片的目标。

在技术路线选择上，三家公司各有侧重。SK海力士选择将基础裸片的生产外包给台积电，并在初代HBM4上采用成熟的1b工艺（即10纳米级第五代DRAM制程工艺），以确保良率。美光科技则显得更为谨慎，目前主要聚焦于产能的提升。

相比之下，三星电子则直接采用了更为先进的1c工艺（即10纳米级第六代DRAM制程工艺），并自主研发4纳米基础裸片，以便与自家的代工和封装工艺形成协同效应。业内专家认为，这种激进策略在良率得到保障的前提下，有望帮助三星电子在今年下半年抢占更多市场份额。

（徽声在线 李轩）