三星电子揭秘HBM5：2纳米GAA工艺加持，速度飙升超50%

7月27日，三星电子对外公布了其半导体事业部技术开发室长具子铉的最新访谈内容。具子铉在访谈中透露，三星预计推出的下一代HBM5内存将实现显著的性能飞跃，其运行速度相较于现有的HBM4E内存将提升超过50%。他进一步指出，HBM5内存的基础芯片将采用先进的GAA（Gate-All-Around）结构的2纳米工艺制造，这一创新技术将使得硅通孔（TSV）的集成度达到前所未有的高度。

具子铉还表示，三星电子将充分利用在4纳米HBM4基础芯片上积累的丰富经验和技术优势，加速在HBM5内存中引入2纳米工艺的进程。同时，三星电子也计划进一步拓展其客户合作网络，与移动设备、HBM内存、人工智能（AI）、高性能计算（HPC）、汽车电子以及机器人等多个领域的领军企业展开深度合作，共同推动半导体生态系统的持续繁荣与发展。