三星电子深化英伟达合作：V10量产提速 V9产能扩张布局未来存储

7月21日最新行业动态显示，三星电子与英伟达在NAND闪存领域的战略合作正持续深化。双方在已有DRAM、高带宽内存（HBM）及晶圆代工合作框架下，进一步拓展存储芯片供应链协同效应。据供应链消息人士透露，三星电子已正式启动第十代V-NAND（V10）的规模化量产，首批产品已进入英伟达供应链体系。与此同时，三星正通过技术迭代优化第九代V-NAND（V9）生产线，计划将该产品线月产能提升30%，目前V9产品已占据三星V-NAND总产能的60%以上。

值得关注的是，三星电子在巩固现有技术优势的同时，已着手研发第十一代500层级V-NAND（V11）技术。这项采用新型3D堆叠架构的存储技术，预计将实现单位面积存储密度提升40%，读写速度较前代产品提高25%。行业分析师指出，随着人工智能、大数据等新兴技术对存储性能要求的持续提升，三星与英伟达在先进存储解决方案上的深度绑定，将有助于双方在高端数据中心市场建立技术壁垒。

据产业调研机构TrendForce数据显示，2024年第二季度全球NAND闪存市场规模达163亿美元，其中企业级SSD需求同比增长22%。三星电子凭借其垂直整合的制造优势，在V-NAND领域保持着35%的市场占有率。此次与英伟达的供应协议扩展，不仅将强化三星在企业级存储市场的领导地位，也为英伟达数据中心GPU提供更稳定的存储解决方案支撑，形成技术协同发展的良性循环。