东芝发布80V N沟道功率MOSFET，采用新一代工艺助力工业电源

在6月30日这一天，东芝电子元件及存储装置株式会社对外发布了一则重要消息，其成功研发并推出了采用东芝最新一代工艺U - MOS11 - H精心制造的80V N沟道功率MOSFET，型号为TPM1R408RH。这款功率MOSFET有着特定的应用方向，主要面向AI数据中心以及通信基站等工业设备所使用的开关电源领域。凭借其先进工艺和出色性能，它能够为这些工业设备的开关电源提供更稳定、高效的运行支持。目前，该新产品已经正式开启出货流程，将逐步进入市场，满足相关行业的需求。