中金研判：第三代半导体器件将深度赋能数据中心供电系统升级，2026年开启高压架构新时代

中金公司最新研究报告明确指出，随着人工智能算力需求向高密度计算、持续满负荷运行以及强瞬态功率冲击等特性演进，数据中心供电系统正加速向高压架构转型已成为行业共识。在半导体材料创新与电力电子技术突破的双重驱动下，预计2026年将成为数据中心高压供电架构的规模化落地元年。研究特别强调，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代化合物半导体器件，将在数据中心电力基础设施升级过程中扮演关键角色。其中SiC器件凭借其耐高压、低损耗特性，有望主导机房配电系统（灰区）的功率转换环节；而GaN器件因其高频高效优势，将在服务器机柜内部（白区）的电源模块实现大规模应用。这种技术路线分化将形成"SiC主攻高压配电侧，GaN深耕机柜电源层"的差异化市场格局，两类器件共同分享数据中心电源系统技术迭代带来的市场红利。