中金预测：SiC/GaN引领数据中心电力升级，2026年高压架构元年将至

据每日经济新闻的AI快讯报道，中金公司在6月30日发布的一份研究报告中深入剖析了数据中心供电系统的未来发展趋势。报告指出，随着AI算力需求的急剧增长，高密度、连续满载以及强瞬态冲击已成为数据中心供电系统必须面对的挑战。在此背景下，高压架构无疑成为了数据中心供电系统发展的明确方向。得益于硬件技术的不断进步，预计到2026年，数据中心高压架构将迎来其正式落地的元年。

中金公司进一步分析认为，SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等核心第三代化合物半导体器件，将在数据中心电力相关系统的升级过程中扮演至关重要的角色。具体而言，SiC凭借其出色的性能，有望在机房侧（即灰区）的应用中占据主导地位；而GaN则因其独特的优势，有望在机柜内（即白区）实现大规模渗透。由此，灰区与白区之间将形成一种“SiC向左，GaN向右”的鲜明市场格局，两者共同迎接数据中心电源方案的迭代升级。