芯联集成发布3300V碳化硅MOSFET 突破高压功率器件技术瓶颈

近日，芯联集成在半导体领域取得重要进展，凭借其自主研发的8英寸碳化硅（SiC）先进工艺平台，成功推出了3300V高电压等级的SiC MOSFET功率器件。这款创新产品专为固态变压器（SST）、智能电网、轨道交通等高压、高功率密度及严苛可靠性要求的场景量身打造，通过优化器件结构与工艺参数，实现了更低的导通损耗与更高的开关频率。目前，该产品已完成关键性能验证，并正式向行业头部客户交付样品进行系统级测试，标志着国产碳化硅功率器件在高端应用领域迈出关键一步。